IT之家 9 月 10 日音讯，日本信越化学当地时代本月 3 日晓示得手设置出用于氮化镓 GaN 外延助长的 300mm（IT之家注：一般也称 12 英寸）的 QST 衬底高中 自慰，并已从近期启动向客户供应关系样品。
相较于以 12 英寸晶圆为主流的硅半导体，氮化镓坐蓐当今仍连合在 6 英寸与 8 英寸上，这其中部分是因为氮化镓和硅热存在热彭胀统统互异，大尺寸硅基衬底容易导致在其上助长的氮化镓外延层出现翘曲与开裂。
信越化学的 QST 衬底工夫源自好意思国企业 Qromis 的专利授权，这一复合材料具有同氮化镓更为接近的热彭胀统统高中 自慰，减少了大尺寸衬底上氮化镓外延层出现劣势的风险，更相宜大厚度、高电压氮化镓器件的制造。
信越化学此前已推出 6 英寸和 8 英寸的 QST 衬底，这次 12 英寸款设置得手有助于栽培氮化镓坐蓐规模、裁减远期产线握续运行资本，从而推低氮化镓居品的价钱、加快氮化镓器件的普及。
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